Рис. 1. Схемы
однотранзисторных усилителей высокой частоты:
а — без корректирующих
элементов; б — с корректирующим дросселем- в — вариант применения
микросхемы К2УС242 в качестве УВЧ с апериодической нагрузкой; г — микросхема
К2УС242
УВЧ собран на транзисторе T1 по схеме с коллекторной нагрузкой —
резистором R3.
Режим работы транзистора
обеспечивается резисторами Rl, R2
и R4. Усиленный сигнал снимается с резистора R3 и через разделительный конденсатор С4 подается на вход
преобразователя частоты.
Для обеспечения равномерного усиления сигнала
во всем диапазоне рабочих частот приемника нагрузка усилителя (резистор R3) имеет малое сопротивление. Резистор R5 и конденсатор С2 образуют в цепи питания УВЧ развязывающий
фильтр. Напряжение смещения на базу транзистора Т2 преобразовательного
каскада приемника поступает через резистор R6.
УВЧ монтируют на гетинаксовой плате размером
30 X X
В усилителе желательно использовать
транзисторы типа ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В и им подобные.
В заключение отметим, что аналогичные усилители
используются в промышленных приемниках «Банга», «Космонавт», «Альпинист» и др.
Усилитель, рассмотренный выше, обеспечивает
сравнительно равномерное усиление в полосе частот 100 кГц — 15 МГц. На
частотах же выше 15 МГц усиление падает из-за влияния в основном входной цепи
преобразовательного каскада, сопротивление которой приобретает на этих
частотах емкостный характер. Для уменьшения этого влияния применяют различные
корректирующие эЛемен-ты и цепи. Наиболее простым и эффективным решением
является включение последовательно с нагрузкой УВЧ — резистором R3 — корректирующего дросселя. На рис. 1, б приведена схема такого
усилителя, обеспечивающего практически постоянный коэффициент усиления, равный
шести (15 дБ) в полосе частот 100 кГц — 30 МГц. Здесь корректирующий дроссель Др1
с индуктивностью около 2 мкГ содержит 30 витков провода ПЭВ-1 0,15, намотанных
на резисторе типа МЛТ-0,5 сопротивлением 100 кОм. В этом УВЧ, как и в
предыдущем, можно использовать резисторы МЛТ-0,25, конденсаторы КПС, КДС, КТ-la и транзисторы ГТ322 групп А, Б, В, Г, Д или
Е.
Рис. 2. Схема УВЧ на полевом
транзисторе для простого KB приемника
Приставка УВЧ может быть выполнена также на
базе интегральной микросхемы (ИМС) К2УС242, как показано, например, на рис. 1,
в. Для пояснения схемотехнического построения этого устройства
обратимся к принципиальной схеме ИМС К2УС242, представленной на рис.
Подключение описанных приставок к приемнику
может быть выполнено по схеме рис. 1, а либо другой, в зависимости от
построения последующего каскада приемника.
Принципиальная схема другого варианта УВЧ,
предназначенного для работы совместно с простым коротковолновым приемником
супергетеродинного типа, приведена на рис. 2. Усилитель собран на полевом
транзисторе Т1 с р — n переходом и каналом n типа. Полевые транзисторы отличаются высоким
входным сопротивлением и малым уровнем шумов, что позволяет значительно
улучшить характеристики всего приемного устройства, работающего с подобной
приставкой.
Сигнал принимаемой радиостанции с внешней
антенны через гнездо Гн1 поступает в. катушку связи L1, с которой индуктивно связан колебательный
контур, образованный катушкой L2 и конденсатором
переменной емкости С1. С помощью этого конденсатора лсонтур можно настроить на
любую радиостанцию, работающую в диапазоне частот от 6 до 12 МГц (25 —
Применение индуктивной свя§и контура L2C1 с антенной позволяет подобрать оптимальную связь между ними. Как
видно из схемы, колебательный контур полностью подключен к транзистору, что
дает возможность получить от такого УВЧ значительное усиление сигнала и повысить
избирательность всего приемного устройства по зеркальному каналу. В среднем
дополнительное улучшение избирательности по зеркальному каналу в такой приставке
может быть 10 — 20 дБ, особенно это важно для уменьшения помех от радиостанций,
частоты которых отличаются от принимаемых сигналов на две промежуточные
частоты.
Необходимый режим работы транзистора Т1 обеспечивается
включением в цепь истока резистора R1.
Последний по переменной составляющей напряжения заблокирован конденсатором СЗ.
Нагрузкой транзистора является дроссель Др1, включенный в цепь
стока. Выделенное на дросселе усиленное напряжение сигнала через конденсатор С2
и коаксиальное гнездо Гн2 подается на вход приемного устройства.
При повторении конструкции в -ней можно использовать
полевые транзисторы КПЗОЗВ, 2ПЗОЗВ, КПЗОЗГ, 2ПЗОЗГ, конденсаторы КЛС,
переменный конденсатор С1 любого типа, но -желательно с воздушным
диэлектриком. Катушки LI, L2
наматывают последовательно
друг за другом на фарфоровом каркасе диаметром
Питание приставки, потребляющей ток всего 5
мА, можно производить от отдельной батареи «Крона». Однако не исключается и
использование источника питания приемника, если минусовый вывод его соединен с
общим проводом. Приставку монтируют на плате из гетинакса или стеклотекстолита.
Габариты платы определяет тип переменного конденсатора, используемого в
приставке. Плату размещают в экране из листовой меди толщиной 0,5 —
Налаживание приставки начинают с установки
тока стока транзистора 77, уточняя сопротивление резистора R1. Миллиамперметр со шкалой 10 мА подключают
параллельно разомкнутым контактам BL При этом следует соблюдать все предосторожности, необходимые при
работе с полевым транзистором.
Затем к приставке присоединяют антенну и вход
приемника (отрезком коаксиального кабеля длиной 30 —
Для удобства работы в приставке желательно
предусмотреть шкалу, а ручку переменного конденсатора С1 снабдить
указателем настройки. На шкале отмечают положения ручки, соответствующие
наибольшему усилению для того или иного диапазона (25, 31, 41,